Strona główna Powrót Prośba o kontakt z twórcą

Wynalazek nr BDSW/725

Technologie wytwarzania diody elektroluminescencyjnej w cyklu 2 rozwiązań

Tytuł
Technologie wytwarzania diody elektroluminescencyjnej w cyklu 2 rozwiązań
Opis/specyfikacja
Organiczne diody elektroluminescencyjne (OLED) to innowacyjne powierzchniowe źródła światła. Ich szersze rozpowszechnienie wstrzymywane jest przez ich szybką degradację w kontakcie z wilgocią i tlenem zawartymi w powietrzu. Niniejszy wynalazek jest odpowiedzią na potrzebę rozwiązania tego problemu. Pierwszym innowacyjnym rozwiązaniem jest zastosowanie metody chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej plazmą (PACVD, 13,56MHz) do otrzymania amorficznej warstwy węglowej dotowanej azotem a-C:N:H na polimerowej warstwie emisyjnej diody. Drugie rozwiązanie polega na wyeliminowaniu warstwy polimerowej z architektury diody i zastosowaniu warstwy a-C:N:H ze względu na jej właściwości elektroluminescencyjne. Poprawia to elektroluminescencję diody o rząd wielkości w stosunku do diody bez warstwy a-C:N:H. Przedstawione rozwiązania umożliwiają poprawę odporności diody na działanie czynników zewnętrznych, obniżenie temperatury osadzania i uproszczenie architektury diody.
Przewidywane zastosowanie
 przykłady zastosowań: przemysł oświetleniowy, wyświetlacze graficzne w smartfonach, telewizorach i aparatach fotograficznych, wyświetlacze w zegarach cyfrowych i licznikach elektronicznych, przemysł inteligentnych opakowań.
 nazwy firm potencjalnych odbiorców: Noctiluca S.A., LG Display (LGD), Winstar, Orient Display.
Słowa kluczowe
dioda świecąca; elektroluminescencja; enkapsulacja; warstwa a-C:N:H.
Spodziewane efekty stosowania
Zastosowanie wynalazku pozwali na wykonanie diody świecącej o zwiększonej odporności na działanie czynników atmosferycznych. Pozwoli to na zmniejszenie awaryjności i wydłużenie czasu pracy urządzeń. Przedstawiony sposób wytwarzania diod elektroluminescencyjnych umożliwia obniżenie temperatury i mocy podczas procesu osadzania warstw, dzięki czemu proces nie wpływa na żywotność organicznych materiałów stosowanych w diodach. Dzięki zastosowaniu warstwy a-C:N:H możliwe jest także wyeliminowanie stosowania szkodliwych reagentów procesu (np.. silanów), które są stosowane w innych rozwiązaniach. Ponadto zastosowana warstwa a-C:N:H wykazuje własną elektroluminescencję, przez co jej stosowanie wpływa na poprawę elektroluminescencji diody o blisko rząd wielkości. Przedstawiony sposób wytwarzania umożliwia otrzymanie diod o uproszczonej architekturze, co w konsekwencji może mieć pozytywny wpływ na obniżenie kosztów wytwarzania.
Typ oczekiwanej współpracy
- Twórca jest zainteresowany nawiązaniem współpracy w celu dalszych badań nad wynalazkiem
- Twórca jest zainteresowany wdrożeniem wynalazku
- Twórca wyraża zgodę na udział w Spotkaniu Brokerskim
- Twórca jest zainteresowany zbyciem praw majątkowych do wynalazku
Typ poszukiwanego partnera

Lokalizacja, metryka

Numer wewnętrzny
Data zapisu do bazy
BDSW/725
2024-01-05 08:57:42
Rodzaj
wynalazek
Osoba do kontaktu

Patent

Data zgłoszenia
Numer zgłoszenia
Data uzyskania
Numer uzyskania
01.07.2021 r., 22.11.2022 r.
Pat. 238827, Pat. 242243