Strona główna Powrót Prośba o kontakt z twórcą
Wynalazek nr BDSW/537
Szerokopasmowa metoda pomiaru stałej dielektrycznej cienkich podłoży dielektrycznych
        
        Tytuł
    
    
        Szerokopasmowa metoda pomiaru stałej dielektrycznej cienkich podłoży dielektrycznych        
    
        
                
        Opis/specyfikacja
    
    
        Przedmiotem wynalazku jest szerokopasmowa metoda pomiaru stałej dielektrycznej cienkowarstwowych podłoży dielektrycznych, przeznaczona do wyznaczania stałej dielektrycznej w szerokim paśmie częstotliwości mikrofalowych. Metoda polega na konwersji otrzymanych macierzy rozproszenia S z obu pomiarów na macierze łańcuchowe. Znanymi metodami matematycznymi, przy pomocy modelu obwodowego całej struktury, dokonuje się ekstrakcji względnej stałej dielektrycznej badanego podłoża.
Próbkę badanego podłoża umieszcza się na przewodzącej powierzchni połączonej z masą układu pomiarowego, a na samej próbce umieszcza się przewodzący pasek, tworząc tym samym mikropaskową linię transmisyjną. Końce paska podłącza się do wrót dwuwrotowego wektorowego analizatora sieci, a następnie dokonuje się pomiaru parametrów macierzy rozproszenia S, modyfikuje się szerokość środkowego odcinka przewodzącego paska i dokonuje się ponownego pomiaru macierzy parametrów rozproszenia S tak zmodyfikowanego paska.
        
        Próbkę badanego podłoża umieszcza się na przewodzącej powierzchni połączonej z masą układu pomiarowego, a na samej próbce umieszcza się przewodzący pasek, tworząc tym samym mikropaskową linię transmisyjną. Końce paska podłącza się do wrót dwuwrotowego wektorowego analizatora sieci, a następnie dokonuje się pomiaru parametrów macierzy rozproszenia S, modyfikuje się szerokość środkowego odcinka przewodzącego paska i dokonuje się ponownego pomiaru macierzy parametrów rozproszenia S tak zmodyfikowanego paska.
        
        Przewidywane zastosowanie
    
    
        Przykłady zastosowań:
 szerokopasmowa charakteryzacja parametrów elektrycznych podłoży dielektrycznych wykorzystywanych w telekomunikacji w zakresie częstotliwości mikrofalowych,
 szybkie oraz nieniszczące badanie jakości i jednorodności cienkich podłoży dielektrycznych,
 produkcja wysokiej jakości obwodów mikrofalowych zaprojektowanych pod konkretny fragment podłoża dielektrycznego.
Potencjalni odbiorcy:
 producenci laminatów mikrofalowych: Rogers, Taconic, Arlon, Isola, AGC Nelco, Polyflon.
 producenci precyzyjnych układów mikrofalowych: Mini-circuits, Anritsu, Johanson Technology, Keysight Technologies, NXP, Corvo, Renesas Electronics America Inc.
 przemysł lotniczy/wojskowy/kosmiczny, samochodowy: Airbus, Lockheed Martin. Suchoj, Boeing, NASA, ESA. PIT-RADWAR, Tesla, VW Group.
        
         szerokopasmowa charakteryzacja parametrów elektrycznych podłoży dielektrycznych wykorzystywanych w telekomunikacji w zakresie częstotliwości mikrofalowych,
 szybkie oraz nieniszczące badanie jakości i jednorodności cienkich podłoży dielektrycznych,
 produkcja wysokiej jakości obwodów mikrofalowych zaprojektowanych pod konkretny fragment podłoża dielektrycznego.
Potencjalni odbiorcy:
 producenci laminatów mikrofalowych: Rogers, Taconic, Arlon, Isola, AGC Nelco, Polyflon.
 producenci precyzyjnych układów mikrofalowych: Mini-circuits, Anritsu, Johanson Technology, Keysight Technologies, NXP, Corvo, Renesas Electronics America Inc.
 przemysł lotniczy/wojskowy/kosmiczny, samochodowy: Airbus, Lockheed Martin. Suchoj, Boeing, NASA, ESA. PIT-RADWAR, Tesla, VW Group.
        
        Korzyści z wdrożenia
    
    
                                                - wprowadzenie nowego produktu/usługi
                                                                            
        
                
        Słowa kluczowe
    
    
        stała dielektryczna, linia mikropaskową, metoda nierezonansowa, podłoża dielektryczne, pomiar szerokopasmowy    
        
                
        Spodziewane efekty stosowania
    
    
         wspomaganie/zastąpienie obecnie stosowanej metody dwóch linii (różnicowej fazy) w szerokopasmowym badaniu stałej dielektrycznej cienkowarstwowych podłoży dielektrycznych,
 brak konieczności przeprowadzenia specjalnej obróbki mechanicznej podłoża oraz nieniszczący pomiar umożliwią wyznaczenie parametrów elektrycznych teoretycznie każdego cienkowarstwowego, niskostratnego, podłoża dielektrycznego, a także pozwolą na zwiększenie zakresu i częstości wykonywania tego typu badań,
 możliwość zaprojektowania układu mikrofalowego pod konkretny fragment podłoża dielektrycznego pozwoli na poprawienie parametrów wykonywanego obwodu wysokiej częstotliwości,
 wczesne wykrycie problemów z jakością i jednorodnością podłoża dielektrycznego umożliwi redukcję kosztów związaną z wykonaniem wadliwego obwodu.
        
         brak konieczności przeprowadzenia specjalnej obróbki mechanicznej podłoża oraz nieniszczący pomiar umożliwią wyznaczenie parametrów elektrycznych teoretycznie każdego cienkowarstwowego, niskostratnego, podłoża dielektrycznego, a także pozwolą na zwiększenie zakresu i częstości wykonywania tego typu badań,
 możliwość zaprojektowania układu mikrofalowego pod konkretny fragment podłoża dielektrycznego pozwoli na poprawienie parametrów wykonywanego obwodu wysokiej częstotliwości,
 wczesne wykrycie problemów z jakością i jednorodnością podłoża dielektrycznego umożliwi redukcję kosztów związaną z wykonaniem wadliwego obwodu.
        
        Zastosowania rynkowe
    
    
                                        - Elektronika, mikroelektronika
                                                                                    
        
                
        Stan zaawansowania
    
    
                        - badania na etapie laboratoryjnym
                                                                                                    
        
                
        Typ oczekiwanej współpracy
    
    
                                                        - Twórca jest zainteresowany nawiązaniem współpracy w celu dalszych badań nad wynalazkiem
- Twórca jest zainteresowany wdrożeniem wynalazku
- Twórca wyraża zgodę na udział w Spotkaniu Brokerskim
- Twórca jest zainteresowany zbyciem praw majątkowych do wynalazku
                                            
        
        - Twórca jest zainteresowany wdrożeniem wynalazku
- Twórca wyraża zgodę na udział w Spotkaniu Brokerskim
- Twórca jest zainteresowany zbyciem praw majątkowych do wynalazku
        
        Typ poszukiwanego partnera
    
    
                                - instytut naukowo - badawczy, uniwersytet
- ośrodek transferu technologii
- przemysł
- usługi
                    
        
        
         
        - ośrodek transferu technologii
- przemysł
- usługi
Lokalizacja, metryka
        
        Numer wewnętrzny
    
    
                        
        Data zapisu do bazy
    
    
        
            
        BDSW/537    
    
                        
        2020-03-05 17:02:26    
    
        
            
        Rodzaj
    
    
        
            
        wynalazek    
    
        
            
        Osoba do kontaktu
    
    
                
    Patent
        
            Data zgłoszenia
        
                
            Numer zgłoszenia
        
                
            Data uzyskania
        
                
            Numer uzyskania
        
        
            
            08.08.2018        
                
            P.426610