Sposób wytwarzania organicznej warstwy ambipolarnej

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkich organicznych warstw ambipolarnych złożonych z półprzewodnika organicznego charakteryzującego się przewodnictwem elektronowym (typu n) i półprzewodnika charakteryzującego się przewodnictwem dziurowym (typu p). Metoda wytwarzania warstw ambipolarnych z mieszaniny dwóch półprzewodników organicznych jest metodą roztworową, jednoetapową nie wymagającą atmosfery gazu obojętnego. Dodatkową cechą urządzeń organicznych opartych na warstwach ambpiolarnych wytworzonych za pomocą metody wg wynalazku jest ich niska waga oraz elastyczność dzięki możliwości zastosowania podłoży polimerowych.

Szereg opracowanych w ostatnich latach nowych metod wytwarzania organicznych urządzeń elektronicznych umożliwia znacznie łatwiejszą i mniej kosztowną od technologii krzemu, budowę urządzeń elektronicznych. Sposób otrzymywania warstw ambipolarnych wg wynalazku przyczyni się do rozwoju technologii wytwarzania organicznych i hybrydowych urządzeń elektronicznych takich jak prostych układów logicznych, stopni wyjściowych wzmacniaczy, cyklicznych oscylatorów czy systemy RFID. Zaletą metody wytwarzania ambipolarnych warstw wg wynalazku jest brak konieczności stosowania atmosfery gazu obojętnego zarówno podczas samego procesu wytwarzania jak i podczas pracy urządzeń opartych na wytworzonych warstwach ambipolarnych. Ponadto nowoopracowana technologia wytwarzania warstw ambipolarnych należy do metod roztworowych, niskotemperaturowych co sprawia, że może być wykorzystywana w powszchnie stosowanych metodach drukarskich takich jak: metody atramentowe, natryskowe czy R-2-R (ang. Roll-to-roll).

- wzrost wydajności
- ograniczenie energochłonności
- udoskonalenie produktu/usługi

elektronika organiczna, warstwy ambipolarne, organiczne tranzystory z efektem polowym.

Sposób otrzymywanie warstw ambipolarnych według wynalazku wykorzystuje znane półprzewodniki organiczne o przewodnictwie dziurowym i elektronowym, dzięki czemu proces ich otrzymywania jest mniej pracochłonny i prostszy w realizacji od innych znanych sposobów otrzymywania cienkich warstw ambipolarnych takich jak między innymi sprzężenie ze sobą dwóch półprzewodników organicznych o odmiennym typie przewodnictwa [Journal of the American Chemical Society (2009) 131] czy synteza nowych związków ambipolarnych. Nowoopracowana metoda pozwoli na zmniejszenie liczby etapów produkcji urządzeń organicznych opartych na komplementarnych parach tranzystorów typu n i p, a co za tym idzie na obniżenie kosztów ich produkcji. Zastosowanie tranzystorów ambipolarnych wytworzonych za pomocą metody wg wynalazku pozwoli także na zmniejszenie rozmiarów wytwarzanych urządzeń.
Ponadto metoda ta należy do technik roztworowych, niskotemperaturowych co daje możliwość zastosowania elastycznych podłóż polimerowych, a także wykorzystania jej w powszechnie stosowanych przemysłowych metodach drukarskich między innymi w technice R2R i prowadzi do obniżenia energochłonności i kosztów procesów produkcyjnych.

- Przemysł - Produkcja przemysłowa
- Elektronika, mikroelektronika
- Przemysł papierniczy,

- Twórca jest zainteresowany nawiązaniem współpracy w celu dalszych badań nad wynalazkiem
- Twórca jest zainteresowany wdrożeniem wynalazku
- Twórca wyraża zgodę na udział w Spotkaniu Brokerskim
- Twórca jest zainteresowany zbyciem praw majątkowych do wynalazku

- instytut naukowo - badawczy, uniwersytet
- ośrodek transferu technologii
- przemysł
- usługi