Sposób wytwarzania nanometrycznych warstw ditlenku tytanu o działaniu bakteriobójczym metodą
chemicznego osadzania z fazy gazowej z wykorzystaniem heksa - 93-okso-di-93-akwa-heksa-9-
2,2-dimetylopropioniano-heksa-9-izobutanolano-cykloheksatytanu (IV)

Wynalazek dotyczy opracowania metody wytwarzania nanometrycznych warstw ditlenku tytanu, o
właściwościach przeciwdrobnoustrojowych, na powierzchni implantów chirurgicznych i
stomatologicznych z użyciem nowego okso kompleksu tytanu (IV), jako prekursora stosowanego w
metodzie chemicznego osadzania z fazy gazowej. Związek ten charakteryzuje się odpowiednią
lotnością, prostą syntezą, nie jest czuły na reakcję hydrolizy, jak w przypadku wcześniej
stosowanego izopropanolanu tytanu. NaleŜy do klasy prekursorów single – source, co umoŜliwia
otrzymywanie warstw TiO2 w procesie jednoetapowym w przeciwieństwie do stosowanego
powszechnie TiCl4. Proponowany nowy rodzaj prekursora umożliwia otrzymywanie
nanometrycznych warstw TiO2 o ściśle określonej strukturze polimorficznej w zależności od
temperatury osadzania.

Metoda ta została opracowana w celu modyfikacji powierzchni implantów stosowanych w chirurgii
twarzowo – szczękowej. Uzyskane warstwy TiO2 wykazują bardzo dobre właściwości
przeciwdrobnoustrojowe oraz mają zdolność do stymulacji procesów osteointegracji , ułatwiając tym
samym bezpośredni kontakt kość – implant.

metoda CVD, oksokompleksy tytanu (IV), prekursor, TiO2, działanie bakteriobójcze

Wdrożenie nowej klasy implantów stosowanych w chirurgii twarzowo – szczękowej. Obniżenie
kosztów leczenia oraz polepszenie właściwości biokompatybilnych implantów, co umożliwia
zastosowanie ich dla szerszej grupy pacjentów.

- Twórca jest zainteresowany nawiązaniem współpracy w celu dalszych badań nad wynalazkiem
- Twórca jest zainteresowany wdrożeniem wynalazku
- Twórca wyraża zgodę na udział w Spotkaniu Brokerskim